Силикон карбиди SiC

Тавсифи

Вафери кремний карбиди SiC, хеле сахт, пайвастагии кристаллии кремний ва карбон бо усули MOCVD ба таври синтетикӣ истеҳсол карда шудааст ва намоиш медиҳад.фосилаи васеи бандҳои беназири он ва дигар хусусиятҳои мусоиди коэффисиенти пасти тавсеаи гармӣ, ҳарорати баландтари корӣ, паҳншавии хуби гармӣ, талафоти камтари коммутатсионӣ ва интиқол, каммасрафтари энергия, гармии баланд ва қавитари шикастани майдони электрикӣ, инчунин ҷараёнҳои бештар мутамарказ ҳолати.Silicon Carbide SiC дар Корпоратсияи Western Minmetals (SC) мумкин аст дар андозаи 2″ 3' 4“ ва 6″ (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) бо вафли n-намуд, нимизолятсия ё думми барои саноатӣ таъмин карда шавад. ва барнома лабораторӣ. Ҳар як мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил барои мизоҷони мо дар саросари ҷаҳон аст.

Барномаҳо

Вафли баландсифати 4H/6H Silicon Carbide SiC барои истеҳсоли бисёр дастгоҳҳои пешрафтаи аълои зуд, ҳарорати баланд ва баландшиддати электронӣ, аз қабили диодҳои Schottky & SBD, MOSFETs & JFETs коммутатсионӣ ва ғайра комил аст. инчунин маводи матлуб дар таҳқиқот ва таҳияи транзисторҳои биполярии изолятсияшуда ва тиристорҳо мебошад.Ҳамчун маводи барҷастаи насли нави нимноқил, вафли Силикон Карбид инчунин ҳамчун як паҳнкунандаи гармии муассир дар ҷузъҳои LED-ҳои баландқувват ё ҳамчун субстрати устувор ва маъмул барои афзоиши қабати GaN ба манфиати таҳқиқоти илмӣ дар оянда хидмат мекунад.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

Силикон карбиди SiC

Силикон карбиди SiCдар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад дар андозаи 2″ 3' 4“ ва 6″ (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) бо вафли n-намуд, нимизолятсия ё муҳоҷир барои истифодаи саноатӣ ва лабораторӣ таъмин карда шавад. .Ҳар як мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил барои мизоҷони мо дар саросари ҷаҳон аст.

Формулаи хатӣ	SiC
Вазни молекулавӣ	40.1
Сохтори кристалл	Вурцит
Намуди зоҳирӣ	Сахт
Нуқтаи обшавӣ	3103±40К
Нуқтаи ҷӯш	Не
Зичии дар 300K	3,21 г/см³
Фосилаи энергетикӣ	(3.00-3.23) эВ
Муқовимати дохилӣ	>1E5 Ом-см
Рақами CAS	409-21-2
Рақами EC	206-991-8

Не.	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Андозаи SiC	2"	3"	4"	6"
2	Диаметри мм	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Усули афзоиш	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Навъи ноқилӣ	4Х-Н, 6Х-Н, 4Н-СИ, 6Н-СИ
5	Муқовимат Ω-см	0,015-0,028;0,02-0,1;>1Э5
6	Ориентация	0°±0,5°;4,0° то <1120>
7	Ғафсӣ мкм	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Ҷойгоҳи ибтидоии ҳамвор	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Дарозии аввалияи ҳамвор мм	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Ҷойгоҳи дуюмдараҷаи ҳамвор	Кремний рӯ ба боло: 90°, ақрабаки соат аз ҳамвор ±5,0°
11	Дарозии дуюмдараҷаи ҳамвор мм	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV мкм макс	15	15	15	15
13	Камон μm макс	40	40	40	40
14	Варп μm макс	60	60	60	60
15	Истиснои канори мм макс	1	2	3	3
16	Зичии микроқубур см-2	<5, саноатй;<15, лаборатория;<50, мумтоз
17	Дислокатсия см-2	<3000, саноатӣ;<20000, лаборатория;< 500 000, мукаммал
18	Ноҳамвории сатҳи nm макс	1 (саҳифашуда), 0,5 (CMP)
19	Тарқишҳо	Не, барои дараҷаи саноатӣ
20	Плитаҳои шашкунҷа	Не, барои дараҷаи саноатӣ
21	Харошидан	≤3mm, дарозии умумии камтар аз диаметри субстрат
22	Чипҳои Edge	Не, барои дараҷаи саноатӣ
23	Бастабандӣ	Контейнери ягонаи вафли дар халтаи таркибии алюминий басташуда.

Карбиди кремний SiC 4H/6Hвафли баландсифат барои истеҳсоли бисёр дастгоҳҳои муосири аълои зуд, ҳарорати баланд ва баландшиддат ба монанди диодҳои Schottky & SBD, MOSFETs & JFETs ва ғайра комил аст. Он инчунин як маводи дилхоҳ дар тадқиқот ва коркарди транзисторҳои биполярии изолятсияшуда ва тиристорҳо.Ҳамчун маводи барҷастаи насли нави нимноқил, вафли Силикон Карбид инчунин ҳамчун як паҳнкунандаи гармии муассир дар ҷузъҳои LED-ҳои баландқувват ё ҳамчун субстрати устувор ва маъмул барои афзоиши қабати GaN ба манфиати таҳқиқоти илмӣ дар оянда хидмат мекунад.