Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Вафери кремнийи эпитаксиалӣ (EPI).

Тавсифи

Вафери эпитаксиали кремнийё EPI Silicon Wafer, вафли қабати булӯри нимноқилӣ мебошад, ки ба сатҳи булӯри сайқалёфтаи субстрати кремний тавассути афзоиши эпитаксиалӣ гузошта шудааст.Қабати эпитаксиалӣ метавонад ҳамон маводе бошад, ки бо афзоиши якхелаи эпитаксиалӣ ё қабати экзотикӣ бо сифати хоси дилхоҳ бо афзоиши эпитаксиалии гетерогенӣ, ки технологияи афзоиши эпитаксиалиро қабул мекунад, дар бар мегирад, ки кони буғҳои кимиёвии CVD, эпитаксиалии фазаи моеъ LPE ва инчунин нури молекулавӣ мебошад. epitaxy MBE барои ноил шудан ба сифати баландтарини зичии пасти камбудиҳо ва ноҳамвории хуби рӯи замин.Ваферҳои кремний эпитаксиалӣ пеш аз ҳама дар истеҳсоли дастгоҳҳои пешрафтаи нимноқилӣ, унсурҳои нимноқилҳои хеле ҳамгирошудаи IC, дастгоҳҳои дискретӣ ва пурқувват истифода мешаванд, ки инчунин барои элементи диод ва транзистор ё субстрат барои IC ба монанди дастгоҳҳои биполярӣ, MOS ва BiCMOS истифода мешаванд.Ғайр аз он, вафли кремнийи қабати эпитаксиалӣ ва қабати қабати қабати қабати EPI аксар вақт дар микроэлектроника, фотоника ва фотоэлектрикҳо истифода мешаванд.

Таҳвил

Epitaxial Silicon Wafers ё EPI Silicon Wafer дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад бо андозаи 4, 5 ва 6 дюйм (диаметри 100мм, 125мм, 150мм), бо самти <100>, <111>, муқовимати эпилейер аз <1ohm пешниҳод карда шавад. -см ё то 150ohm-cm, ва ғафсии эпилейер аз <1um ё то 150um, барои қонеъ кардани талаботҳои гуногун дар коркарди рӯизаминӣ ё LTO, дар кассета бо қуттии картонӣ дар берун бастабандишуда ё ҳамчун мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил .

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

Epi Silicon Wafer

Вафли эпитаксиали кремнийё EPI Silicon Wafer дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад дар андозаи 4, 5 ва 6 дюйм (диаметри 100мм, 125мм, 150мм), бо самти <100>, <111>, муқовимати эпилейер аз <1ohm-cm ё пешниҳод карда шавад. то 150ohm-cm, ва ғафсии эпилейер аз<1um ё то 150um, барои қонеъ кардани талаботҳои гуногун дар анҷоми сатҳи коркарди кандашуда ё LTO, дар кассета бо қуттии картонӣ дар берун бастабандӣ карда мешавад ё ҳамчун мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил.

Рамз	Si
Рақами атомӣ	14
Вазни атомӣ	28.09
Категорияи элемент	металлоид
Гурӯҳ, давра, блок	14, 3, С
Сохтори кристалл	Алмос
Ранги	Хокистари сиёҳ
Нуқтаи обшавӣ	1414°С, 1687,15 К
Нуқтаи ҷӯш	3265°С, 3538,15 К
Зичии дар 300K	2,329 г/см³
Муқовимати дохилӣ	3,2Э5 Ом-см
Рақами CAS	7440-21-3
Рақами EC	231-130-8

Не.	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Хусусиятҳои умумӣ
1-1	Андоза	4"	5"	6"
1-2	Диаметри мм	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Ориентация	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Хусусиятҳои қабати эпитаксиалӣ
2-1	Усули афзоиш	CVD	CVD	CVD
2-2	Навъи ноқилӣ	P ё P+, N/ ё N+	P ё P+, N/ ё N+	P ё P+, N/ ё N+
2-3	Ғафсӣ мкм	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Якрангии ғафсӣ	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Муқовимат Ω-см	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Якрангии муқовимат	≤3%	≤5%	-
2-7	Дислокатсия см-2	<10	<10	<10
2-8	Сифати рӯизаминӣ	Чип, туман ё пӯсти афлесун боқӣ намемонад ва ғайра.
3	Хусусиятҳои субстратро идора кунед
3-1	Усули афзоиш	CZ	CZ	CZ
3-2	Навъи ноқилӣ	P/N	P/N	P/N
3-3	Ғафсӣ мкм	525-675	525-675	525-675
3-4	Ғафсӣ Макс	3%	3%	3%
3-5	Муқовимат Ω-см	Чунон ки талаб карда мешавад	Чунон ки талаб карда мешавад	Чунон ки талаб карда мешавад
3-6	Якрангии муқовимат	5%	5%	5%
3-7	TTV мкм макс	10	10	10
3-8	Камон μm макс	30	30	30
3-9	Варп μm макс	30	30	30
3-10	EPD см-2 макс	100	100	100
3-11	Профили Edge	мудаввар	мудаввар	мудаввар
3-12	Сифати рӯизаминӣ	Чип, туман ё пӯсти афлесун боқӣ намемонад ва ғайра.
3-13	Ба охир расидани тарафи қафо	Etched ё LTO (5000±500Å)
4	Бастабандӣ	Кассета дарун, қуттии картон дар берун.

Вафли эпитаксиали кремнийпеш аз ҳама дар истеҳсоли дастгоҳҳои пешрафтаи нимноқилӣ, унсурҳои нимноқилҳои хеле ҳамгирошудаи IC, дастгоҳҳои дискретӣ ва пурқувват, инчунин барои элементи диод ва транзистор ё субстрат барои IC ба монанди дастгоҳҳои биполярӣ, MOS ва BiCMOS истифода мешаванд.Ғайр аз он, вафли кремнийи қабати эпитаксиалӣ ва қабати қабати қабати қабати EPI аксар вақт дар микроэлектроника, фотоника ва фотоэлектрикҳо истифода мешаванд.