Оксиди галий

Тавсифи

Оксиди галий Ga₂O₃99,99%, 99,999% ва 99,9999% 4N 5N 6N, хокаи сахти сафед дар ҳам фазаҳои кристаллӣ ва ҳам β, CAS 12024-21-4, вазни молекулавӣ 187,44, нуқтаи обшавӣ 1740°C, дар аксар кислотаҳо ҳалнашаванда, як маводи нимноқили шаффофи оксиди оксиди бо хосиятҳои аълои фосилаи бениҳоят калони аз 4,9eV ва мавҷудияти субстратҳои ватании андозаи калон ва босифати баланд, ки аз кристаллҳои яклухти обшуда тавлид мешаванд.Оксиди галий Ga₂O₃дурнамои васеъ барои татбиқ дар саноати оптоэлектроника дорад, аз қабили қабати изолятсионии маводи нимноқил дар асоси Ga, ҳамчун филтрҳои ултрабунафш, ҳамчун зондҳои кимиёвӣ барои оксиген, монеаи изолятсия барои пайвастҳои қатъӣ, дастгоҳҳои нимноқилҳои оптикӣ ва барномаҳои сафолӣ.Оксиди галлий инчунин барои диодҳои рӯшноӣ, хокаи флуоресцентӣ, реагенти тозаи баланд, инчунин дар лазерҳо ва дигар маводи люминесцентӣ ва ғайра истифода мешавад.

Таҳвил

Оксиди галлий ё триоксиди галлий Ga₂O₃ дар шакли α ё β намуди кристаллографӣ бо тозагии 99,99%, 99,999% ва 99,9999% (4N 5N 6N) дар Western Minmetals (SC) метавонад дар ҳаҷми хокаи D50 ≤ 4,0 микрон） 800000000000000000000000000000000000000000000000000 50-100 mesh (0,15-0,30 микрон) дар бастаи 1 кг, 2 кг дар шишаи полиэтиленӣ ё 1 кг, 2 кг, 5 кг дар халтаи таркибии алюминийи вакуумӣ бо қуттии картонӣ берун аз 10 кг ё 20 кг тор ё ҳамчун мушаххасоти фармоишӣ ба ҳалли беҳтарин .

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

Ga₂O₃

Намуди зоҳирӣ	Кристали сафед
Вазни молекулавӣ	187.44
Зичии	-
Нуқтаи обшавӣ	1740 °C
№ CAS	12024-21-4

Не.	Адад		Мушаххасоти стандартӣ
1	ПокӣGa₂O₃≥		Наҷосат(ICP-MS PPM Max ҳар як)
2	4N	99,99%	Mg/Ni/Mn 3.0, Cr/Ca/Co/Cd/Cu/Sn 5.0, Pb 8.0, Na/Fe/Al 10	Ҳамагӣ ≤100
	5N	99.999%	Mg/Ni/Mn 0,1, Cr/ Ca/Cu/Cd/Cu/Sn 0,5, Na/Al/Fe 1,0, Pb 1,5	Ҳамагӣ ≤10
	6N	99.9999%	Mn/Ca/Co/Cd 0,05, Pb/Al/Fe/Cu/Sn 0,1	Ҳамагӣ ≤1,0
3	Шакли кристаллографӣ		навъи α ё β
4	Андоза		D₅₀≤ 4um, -80 mesh ё хокаи 50-100 mesh
5	Бастабандӣ		1кг, 2кг дар шишаи пластикӣ, ё 1кг, 2кг, 5кг дар халтаи алюминий бо қуттии картонӣ берун

Оксиди галий Ga₂O₃ё Gallium Trioxide Ga₂O₃дар шакли α ё β намуди кристаллографӣ бо тозагии 99,99%, 99,999% ва 99,9999% (4N 5N 6N) дар Western Minmetals (SC) метавонад дар ҳаҷми хокаи D50 ≤ 4,0 микрон） 800000000000000000000000000000000000000000000000000 50-100 mesh (0,15-0,30 микрон) дар бастаи 1кг, 2кг дар шишаи полиэтиленӣ ё 1кг, 2кг, 5кг дар халтаи таркибии алюминийи вакуумӣ бо қуттии картонӣ дар берун ё ҳамчун мушаххасоти фармоишӣ ба ҳалли беҳтарин.

Оксиди галий Ga₂O₃ё Триоксиди Галлиум дурнамои васеъ барои татбиқ дар саноати оптоэлектроника дорад, аз қабили қабати изолятсионии маводи нимноқил дар асоси Ga, ҳамчун филтрҳои ултрабунафш, ҳамчун зондҳои кимиёвӣ барои оксиген, монеаи изолятсия барои пайвастҳои қатъӣ, дастгоҳҳои нимноқилҳои оптикӣ ва барномаҳои сафолӣ.Оксиди галлий инчунин барои диодҳои рӯшноӣ, хокаи флуоресцентӣ, реагенти тозаи баланд, инчунин дар лазерҳо ва дигар маводи люминесцентӣ ва ғайра истифода мешавад.