Галий нитриди GaN

Тавсифи

Галий нитриди GaN, CAS 25617-97-4, массаи молекулавӣ 83,73, сохтори кристаллӣ вурцит, як пайвастагии дуӣ буда, нимноқилҳои мустақими банд-фосилаи гурӯҳи III-V, ки бо усули хеле пешрафтаи аммонотермикӣ парвариш карда мешаванд.Бо сифати комили кристаллӣ, гузариши гармии баланд, ҳаракати баланди электронҳо, майдони баланди электрикӣ ва бандҳои васеъ тавсиф карда мешавад, Gallium Nitride GaN дорои хусусиятҳои дилхоҳ дар оптоэлектроника ва барномаҳои ҳассос мебошад.

Барномаҳо

Gallium Nitride GaN барои истеҳсоли замонавии баландсуръат ва иқтидори баланд диодҳои равшанидиҳандаи равшани ҷузъҳои LEDs, дастгоҳҳои лазерӣ ва оптоэлектроника ба монанди лазерҳои сабз ва кабуд, транзисторҳои электронии баланд (HEMTs) ва маҳсулоти пуриқтидор мувофиқ аст. ва саноати истехсоли асбобхои харорати баланд.

Таҳвил

Gallium Nitride GaN дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад дар андозаи вафли даврашакл 2 дюйм ”ё 4” (50мм, 100мм) ва вафли мураббаъ 10×10 ё 10×5 мм таъмин карда шавад.Ҳама гуна андоза ва мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил барои муштариёни мо дар саросари ҷаҳон мебошанд.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

Галий нитриди GaN

Галий нитриди GaNдар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад дар андозаи вафли даврашакл 2 дюйм ” ё 4 ” (50мм, 100мм) ва вафли мураббаъ 10×10 ё 10×5 мм таъмин карда шавад.Ҳама гуна андоза ва мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил барои муштариёни мо дар саросари ҷаҳон мебошанд.

Не.	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Шакл	Доирагӣ	Доирагӣ	Майдон
2	Андоза	2"	4"	--
3	Диаметри мм	50,8±0,5	100±0,5	--
4	Дарозии тараф мм	--	--	10x10 ё 10x5
5	Усули афзоиш	HVPE	HVPE	HVPE
6	Ориентация	C-ҳавопаймо (0001)	C-ҳавопаймо (0001)	C-ҳавопаймо (0001)
7	Навъи ноқилӣ	Намуди N/Si-doped, Un-doped, Ним-изолятсия
8	Муқовимат Ω-см	<0,1, <0,05, >1Э6
9	Ғафсӣ мкм	350±25	350±25	350±25
10	TTV мкм макс	15	15	15
11	Камон μm макс	20	20	20
12	EPD см-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Андозаи рӯизаминӣ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Ноҳамвории рӯизаминӣ	Пеш: ≤0,2нм, Қафо: 0,5-1,5мкм ё ≤0,2нм
15	Бастабандӣ	Контейнери ягонаи вафли дар халтаи алюминий басташуда.

Формулаи хатӣ	ГаН
Вазни молекулавӣ	83,73
Сохтори кристалл	Омехтаи руҳ/Вурцит
Намуди зоҳирӣ	Сахти шаффоф
Нуқтаи обшавӣ	2500 °C
Нуқтаи ҷӯш	Не
Зичии дар 300K	6,15 г/см³
Фосилаи энергетикӣ	(3,2-3,29) эВ дар 300К
Муқовимати дохилӣ	>1E8 Ом-см
Рақами CAS	25617-97-4
Рақами EC	247-129-0

Галий нитриди GaNбарои истеҳсоли замонавии баландсуръат ва иқтидори баланд диодҳои равшанибахши ҷузъҳои LEDs, дастгоҳҳои лазерӣ ва оптоэлектроника, аз қабили лазерҳои сабз ва кабуд, транзисторҳои электронии баланд (HEMTs) ва маҳсулоти пуриқтидор ва баландсифат мувофиқ аст. саноати истехсоли асбобхои харорат.