FZ Silicon Wafer

Тавсифи

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Минтақаи шинокунанда (FZ) Кремний кремнийи бениҳоят пок бо консентратсияи хеле пасти оксиген ва ифлосҳои карбон аст, ки тавассути технологияи коркарди амудии минтақаи шинокунанда кашида мешавад.Минтақаи шинокунандаи FZ як усули парвариши як кристалл аст, ки аз усули CZ фарқ мекунад, ки дар он кристали тухмӣ дар зери куймаи кремнийи поликристаллӣ часпонида мешавад ва сарҳад байни кристаллҳои тухмӣ ва кремнийи поликристалӣ тавассути гармкунии индуксионии RB барои кристаллизатсия гудохта мешавад.Гӯшти РБ ва минтақаи гудохта ба боло ҳаракат мекунанд ва мутаносибан як кристалл дар болои кристалл тухмӣ сахт мешавад.Кремнийи минтақаи шинокунанда бо тақсимоти якхелаи допант, тағирёбии муқовимати паст, маҳдуд кардани миқдори ифлосҳо, мӯҳлати назарраси интиқолдиҳанда, ҳадафи муқовимати баланд ва кремнийи тозагии баланд таъмин карда мешавад.Кремнийи минтақаи шинокунанда як алтернативаи тозагии баланд ба кристаллҳое мебошад, ки тавассути раванди Czochralski CZ парвариш карда мешаванд.Бо хусусиятҳои ин усул, FZ Single Crystal Silicon барои истифода дар истеҳсоли дастгоҳҳои электронӣ, аз қабили диодҳо, тиристорҳо, IGBTs, MEMS, диод, дастгоҳи РБ ва MOSFETs ё ҳамчун субстрат барои зарраҳои баландсифат ё детекторҳои оптикӣ беҳтарин аст. , дастгоҳҳои барқӣ ва сенсорҳо, батареяи офтобии самаранок ва ғайра.

Таҳвил

FZ Single Crystal Silicon Wafer N-type ва P-type гузариши дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад дар андозаи 2, 3, 4, 6 ва 8 дюйм (50мм, 75мм, 100мм, 125мм, 150мм ва 200мм) ва ориентацияи <100>, <110>, <111> бо ороиши сатҳи As-cut, Lapped, кандакорӣ ва сайқал додашуда дар бастаи қуттии кафк ё кассета бо қуттии картонӣ берун.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

FZ Silicon Wafer

FZ Single Crystal Silicon Waferё FZ Mono-кристалии кремний вафли ноқилӣ, n-намуд ва p-намуди корпоратсияи Western Minmetals (SC) метавонад дар андозаҳои гуногуни диаметри 2, 3, 4, 6 ва 8 дюйм (50мм, 75мм, 100мм) расонида шавад. , 125мм, 150мм ва 200мм) ва доираи васеи ғафсӣ аз 279um то 2000um дар самти <100>, <110>, <111> бо анҷоми сатҳи ҳамчун буриш, лағжиш, кад кашидан ва сайқал додан дар бастаи қуттии кафк ё кассета бо қуттии картон берун.

Не.	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Андоза	2"	3"	4"	5"	6"
2	Диаметри мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	гузаронанда	N/P	N/P	N/P	N/P	N/P
4	Ориентация	<100>, <110>, <111>
5	Ғафсӣ мкм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ё мувофиқи талабот
6	Муқовимат Ω-см	1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 ё мувофиқи талабот
7	RRV макс	8%, 10%, 12%
8	TTV мкм макс	10	10	10	10	10
9	Камон/Warp мкм макс	30	30	30	30	30
10	Андозаи рӯизаминӣ	Ҳамчун бурида, L/L, P/E, P/P
11	Бастабандӣ	Қуттии кафк ё кассетаи дарун, қуттии картонӣ берун.

Рамз	Si
Рақами атомӣ	14
Вазни атомӣ	28.09
Категорияи элемент	металлоид
Гурӯҳ, давра, блок	14, 3, С
Сохтори кристалл	Алмос
Ранги	Хокистари сиёҳ
Нуқтаи обшавӣ	1414°С, 1687,15 К
Нуқтаи ҷӯш	3265°С, 3538,15 К
Зичии дар 300K	2,329 г/см³
Муқовимати дохилӣ	3,2Э5 Ом-см
Рақами CAS	7440-21-3
Рақами EC	231-130-8

FZ Single Crystal Silicon, бо хусусиятҳои барҷастаи усули флоат-минтақаи (FZ) беҳтарин барои истифода дар истеҳсоли дастгоҳҳои электронӣ, аз қабили диодҳо, тиристорҳо, IGBTs, MEMS, диод, дастгоҳи RF ва MOSFET-ҳои барқӣ ё ҳамчун субстрат барои ҳалли баланд заррачаҳо ё детекторҳои оптикӣ, дастгоҳҳои барқӣ ва сенсорҳо, батареяи офтобии самаранок ва ғайра.