Оксиди индиум

Тавсифи

Оксиди индиум дар₂O₃ё триоксиди индий 99,99%, 99,995%, 99,999% ва 99,9999%, хокаи хурд ё нанозаррача хокаи сахти сабук-зард, CAS 1312-43-3, зич 7,18 г/см³ва тақрибан 2000° об мешавадC, як маводи устувори сафолии монанд аст, ки дар об ҳал намешавад, аммо дар кислотаи гарми ғайриорганикӣ ҳал мешавад.Оксиди индиум дар₂O₃як маводи функсияи нимноқилҳои навъи n бо муқовимати хурдтар, фаъолнокии баланди каталитикӣ ва фосилаи фарох барои барномаҳои оптоэлектронӣ мебошад. Оксиди индиум дар₂O₃дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад бо тозагии 99,99%, 99,995%, 99,999% ва 99,9999% дар ҳаҷми 2-10 микрон ё хокаи -100 тор ва нано, 1 кг дар шишаи полиэтиленӣ бо халтаи пластикии мӯҳр басташуда интиқол дода шавад, ё 1кг, 2кг 5кг дар халтаи алюминийи таркибӣ бо қуттии картонӣ берун, ё ҳамчун мушаххасоти фармоишӣ ба ҳалли комил.

Барномаҳо

Оксиди индиум дар₂O₃Дар фотоэлектрикӣ, датчикҳои газӣ, рефлекторҳои тунуки инфрасурх, истифодаи катализаторҳо, иловаи махсуси ранги шишагӣ, батареяҳои сілтӣ ва коммутаторҳо ва контактҳои электрикии ҷараён баланд, рӯйпӯши муҳофизатии оинаи металлӣ ва барои плёнкаи нимноқили электро-оптикӣ васеъ истифода мешавад. намоиш ва ғайра Дар₂O₃ҷузъи асосии ҳадафи ITO барои намоишҳо, тирезаҳои каммасраф ва фотоэлектрикҳо мебошад.Илова бар ин, дар₂O₃ҳамчун як унсури муқовиматкунанда дар IC барои ташкили гетероидҳо бо маводҳо ба монанди p-InP, n-GaAs, n-Si ва дигар нимноқилҳо мебошад.Дар ҳамин ҳол, дорои таъсири рӯизаминӣ, андозаи хурд ва макроскопии нақби квантӣ,Нано Ин₂O₃пеш аз ҳама барои пӯшишҳои оптикӣ ва антистатикӣ, татбиқи қабатҳои шаффоф гузаронанда аст.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

In₂O₃

Намуди зоҳирӣ	Хокаи зардтоб
Вазни молекулавӣ	277,63
Зичӣ	7,18 г/см³
Нуқтаи обшавӣ	2000°С
№ CAS	1312-43-2

Не.	Адад		Мушаххасоти стандартӣ
1	Покӣ дар₂O₃≥		Наҷосат (Ҳисоботи санҷиши ICP-MS PPM Max ҳар як)
2	4Н	99,99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Ҳамагӣ ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Ҳамагӣ ≤50
	5Н	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Ҳамагӣ ≤10
	6Н	99.9999%	Бо дархост дастрас аст	Ҳамагӣ ≤1,0
3	Андоза		Хокаи 2-10мкм барои тозагии 4N 5N5 5N, хокаи -100mesh барои тозагии 6N
4	Бастабандӣ		1 кг дар шишаи полиэтиленӣ бо халтаи пластикии мӯҳр дар берун

Оксиди индиум дар₂O₃ ё Trioxide Indium In₂O₃дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад бо тозагии 99,99%, 99,995%, 99,999% ва 99,9999% 4N 4N5 5N 6N бо андозаи 2-10 микрон ё -100 хокаи тор ва нано, 1 кг бо шишаи полиэтиленӣ бастабандӣ карда шавад. халтаи пластикии мӯҳршуда, пас қуттии картонӣ дар берун ё ҳамчун мушаххасоти фармоишӣ ба ҳалли комил.

Оксиди индиум дар₂O₃Дар фотоэлектрикӣ, датчикҳои газӣ, рефлекторҳои тунуки инфрасурх, истифодаи катализаторҳо, иловаи махсуси ранги шишагӣ, батареяҳои сілтӣ ва коммутаторҳо ва контактҳои электрикии ҷараён баланд, рӯйпӯши муҳофизатии оинаи металлӣ ва барои плёнкаи нимноқили электро-оптикӣ васеъ истифода мешавад. намоиш ва ғайра Дар₂O₃ҷузъи асосии ҳадафи ITO барои намоишҳо, тирезаҳои каммасраф ва фотоэлектрикҳо мебошад.Илова бар ин, дар₂O₃ҳамчун як унсури муқовиматкунанда дар IC барои ташкили гетероидҳо бо маводҳо ба монанди p-InP, n-GaAs, n-Si ва дигар нимноқилҳо мебошад.Дар ҳамин ҳол, дорои таъсири рӯизаминӣ, андозаи хурд ва таъсири макроскопии нақби квантӣ, Nano In₂O₃пеш аз ҳама барои пӯшишҳои оптикӣ ва антистатикӣ, татбиқи қабатҳои шаффоф гузаронанда аст.