Gallium Arsenide GaAs

Тавсифи

Арсениди галлийGaAs а аст нимноқилҳои пайвастаи мустақими бандҳои пайвастаи гурӯҳи III-V, ки аз ҷониби на камтар аз 6N 7N галлий ва элементи мышьяки тозагии баланд синтез карда шудаанд ва кристалл тавассути VGF ё раванди LEC аз арсениди поликристалии галлиуми тозагии баланд, намуди ранги хокистарӣ, кристаллҳои кубӣ бо сохтори руҳ-бленда.Бо допинги карбон, кремний, теллур ё руҳ барои ба даст овардани ноқилҳои навъи n ё навъи p ва нимизолятсия, кристали силиндрии InAs-ро бурида ва ба холӣ ва вафли дар шакли бурида, кандакорӣ, сайқал додан ё эпизод сохтан мумкин аст. - барои афзоиши эпитаксиалии MBE ё MOCVD омода аст.Вафери Gallium Arsenide асосан барои сохтани дастгоҳҳои электронӣ ба монанди диодҳои нури инфрасурх, диодҳои лазерӣ, тирезаҳои оптикӣ, транзисторҳои саҳроии FETs, хатти IC-ҳои рақамӣ ва ҳуҷайраҳои офтобӣ истифода мешавад.Ҷузъҳои GaAs дар басомадҳои радиои ултра баланд ва замимаи зудгузари электронӣ, замимаҳои пурқувваткунии сигналҳои заиф муфиданд.Ғайр аз он, субстрати Gallium Arsenide як маводи беҳтарин барои истеҳсоли ҷузъҳои РБ, басомади печи микроволновка ва IC-ҳои монолитӣ ва дастгоҳҳои LED дар алоқаи оптикӣ ва системаҳои назоратӣ барои ҳаракатнокии толори серғизо, қувваи баланд ва устувории ҳарорат мебошад.

Таҳвил

Gallium Arsenide GaAs дар Корпоратсияи Ғарбӣ Минметалс (SC) мумкин аст ҳамчун пораи поликристалӣ ё вафли яккристаллӣ дар вафли буридашуда, кандашуда, сайқал додашуда ё эпи-тайёр ба андозаи 2" 3" 4" ва 6" (50мм, Диаметри 75мм, 100мм, 150мм), бо гузарониши р, навъи n ё нимизолятсия ва самти <111> ё <100>.Мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил барои муштариёни мо дар саросари ҷаҳон аст.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

Арсениди галлий

GaAs

Gallium Arsenide GaAsвафлиҳо асосан барои сохтани дастгоҳҳои электронӣ, ба монанди диодҳои инфрасурх, диодҳои лазерӣ, тирезаҳои оптикӣ, транзисторҳои саҳроии FETs, хатти IC-ҳои рақамӣ ва ҳуҷайраҳои офтобӣ истифода мешаванд.Ҷузъҳои GaAs дар басомадҳои радиои ултра баланд ва замимаи зудгузари электронӣ, замимаҳои пурқувваткунии сигналҳои заиф муфиданд.Ғайр аз он, субстрати Gallium Arsenide як маводи беҳтарин барои истеҳсоли ҷузъҳои РБ, басомади печи микроволновка ва IC-ҳои монолитӣ ва дастгоҳҳои LED дар алоқаи оптикӣ ва системаҳои назоратӣ барои ҳаракатнокии толори серғизо, қувваи баланд ва устувории ҳарорат мебошад.

Не.	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Андоза	2"	3"	4"	6"
2	Диаметри мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Усули афзоиш	ВГФ	ВГФ	ВГФ	ВГФ
4	Навъи ноқилӣ	N-Type/Si ё Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-insulating/Un-doped
5	Ориентация	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Ғафсӣ мкм	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Самти ҳамвор мм	17±1	22±1	32±1	Ноч
8	Муайянкунии ҳамвор мм	7±1	12±1	18±1	-
9	Муқовимат Ω-см	(1-9)E(-3) барои навъи p ё n-намуд, (1-10)E8 барои нимизолятсия
10	Мобилияти см2/с	50-120 барои навъи p, (1-2.5)E3 барои навъи n, ≥4000 барои нимизолятсия
11	Консентратсияи интиқолдиҳанда см-3	(5-50)E18 барои навъи p, (0,8-4)E18 барои навъи n
12	TTV мкм макс	10	10	10	10
13	Камон μm макс	30	30	30	30
14	Варп μm макс	30	30	30	30
15	EPD см-2	5000	5000	5000	5000
16	Андозаи рӯизаминӣ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Бастабандӣ	Контейнери ягонаи вафли дар халтаи таркибии алюминий басташуда.
18	Мулохизахо	Вафери дараҷаи механикии GaAs инчунин тибқи дархост дастрас аст.

Формулаи хатӣ	GaAs
Вазни молекулавӣ	144.64
Сохтори кристалл	Омехтаи руҳ
Намуди зоҳирӣ	Сахти кристаллии хокистарӣ
Нуқтаи обшавӣ	1400°C, 2550°F
Нуқтаи ҷӯш	Не
Зичии дар 300K	5,32 г/см³
Фосилаи энергетикӣ	1,424 эВ
Муқовимати дохилӣ	3.3E8 Ом-см
Рақами CAS	1303-00-0
Рақами EC	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsдар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад ҳамчун пораи поликристаллӣ ё вафли яккристаллӣ дар вафли буридашуда, кандашуда, сайқал додашуда ё эпи-тайёр ба андозаи 2" 3" 4" ва 6" (50мм, 75мм, 100мм) таъмин карда мешавад. , 150мм) диаметри, бо гузаронандагии p-намуди, n-навъи ё нимизолятсия ва самти <111> ё <100>.Мушаххасоти фармоишӣ барои ҳалли комил барои муштариёни мо дар саросари ҷаҳон аст.