Антимониди галлий GaSb

Тавсифи

Антимониди галлий GaSb, нимноќилњои пайвастагињои гурўњи III-V бо сохтори панљарањои руњ-блендї, бо элементњои галлий ва сурма тозагии баланд 6N 7N синтез карда шуда, бо усули LEC аз зарфи ба самт яхкардашуда ё усули VGF бо EPD<1000см ба кристалл табдил дода мешавад.^-3.Вафли GaSb-ро метавон аз як кристаллӣ бо якрангии баланди параметрҳои электрикӣ, сохторҳои беҳамто ва доимӣ ва зичии ками нуқсон, баландтарин шохиси шикастан нисбат ба дигар пайвастагиҳои ғайриметаллӣ бурида ва сохтан мумкин аст.GaSb метавонад бо интихоби васеъ дар самти дақиқ ё ғайрифаъол, консентратсияи паст ё баланди допинг, сатҳи хуби сатҳи баланд ва барои афзоиши эпитаксиалии MBE ё MOCVD коркард карда шавад.Субстрати Gallium Antimonide дар барномаҳои муосиртарини фото-оптикӣ ва оптоэлектронӣ истифода мешавад, аз қабили истеҳсоли фотодетекторҳо, детекторҳои инфрасурх бо умри дароз, ҳассосият ва эътимоднокии баланд, ҷузъи фоторезистӣ, LEDҳои инфрасурх ва лазерҳо, транзисторҳо, ҳуҷайраҳои гармидиҳии фотоэлектронӣ ва системахои термо-фотоэлектрикй.

Таҳвил

Gallium Antimonide GaSb дар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад бо гузарониши нимизолятсияи n-намуд, p-намуди ва бефосилаи нимизолятсия ба андозаи 2" 3" ва 4" (50мм, 75мм, 100мм), ориентация <111> пешниҳод карда шавад. ё <100>, ва бо ороиши сатҳи вафли аз қабатҳои буридашуда, кандашуда, сайқалёфта ё босифати баланд эпитаксия омода аст.Ҳама буридаҳо ба таври инфиродӣ лазерӣ барои шахсият навишта шудаанд.Дар ҳамин ҳол, пораи поликристалии галлий антимониди GaSb низ тибқи дархост ба ҳалли комил фармоиш дода мешавад.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

Антимониди галлий

GaSb

Антимониди галлий GaSbсубстрат дар барномаҳои муосири фото-оптикӣ ва оптоэлектронӣ истифода мешавад, ба монанди истеҳсоли фотодетекторҳо, детекторҳои инфрасурх бо умри дароз, ҳассосият ва эътимоднокии баланд, ҷузъи фоторезистистӣ, LEDҳои инфрасурх ва лазерҳо, транзисторҳо, ҳуҷайраҳои гармидиҳии фотоэлектронӣ ва термо -системаҳои фотоэлектрикӣ.

	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Андоза	2"	3"	4"
2	Диаметри мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Усули афзоиш	LEC	LEC	LEC
4	гузаронанда	Навъи P/Zn-допшуда, Un-doped, N-навъи/Te-doped
5	Ориентация	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Ғафсӣ мкм	500±25	600±25	800±25
7	Самти ҳамвор мм	16±2	22±1	32,5±1
8	Муайянкунии ҳамвор мм	8±1	11±1	18±1
9	Мобилияти см2/Vs	200-3500 ё мувофиқи талабот
10	Консентратсияи интиқолдиҳанда см-3	(1-100)E17 ё мувофиқи талабот
11	TTV мкм макс	15	15	15
12	Камон μm макс	15	15	15
13	Варп μm макс	20	20	20
14	Зичии дислокация см-2 макс	500	1000	2000
15	Андозаи рӯизаминӣ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Бастабандӣ	Контейнери ягонаи вафли дар халтаи алюминий басташуда.

Формулаи хатӣ	GaSb
Вазни молекулавӣ	191.48
Сохтори кристалл	Омехтаи руҳ
Намуди зоҳирӣ	Сахти кристаллии хокистарӣ
Нуқтаи обшавӣ	710°С
Нуқтаи ҷӯш	Не
Зичии дар 300K	5,61 г/см³
Фосилаи энергетикӣ	0,726 эВ
Муқовимати дохилӣ	1E3 Ом-см
Рақами CAS	12064-03-8
Рақами EC	235-058-8

Антимониди галлий GaSbдар Western Minmetals (SC) Corporation метавонад бо ноқилҳои нимизолятсияи навъи n, p-type ва ғайриқонунӣ бо диаметри 2" 3" ва 4" (50мм, 75мм, 100мм), самти <111> ё <100 пешниҳод карда шавад. >, ва бо марраҳои рӯи вафли ҳамчун-бурида, кандакорӣ, сайқалонидашуда ё сифати баланди эпитаксия омода.Ҳама буридаҳо ба таври инфиродӣ лазерӣ барои шахсият навишта шудаанд.Дар ҳамин ҳол, пораи поликристалии галлий антимониди GaSb низ тибқи дархост ба ҳалли комил фармоиш дода мешавад.