CZ Silicon Wafer

Тавсифи

CZ Single Crystal Silicon Wafer аз як кристаллҳои кремний бурида мешавад, ки бо усули парвариши Czochralski CZ кашида шудааст, ки он барои афзоиши кристаллҳои кремнийи зарфҳои калони силиндрӣ дар саноати электроника барои сохтани дастгоҳҳои нимноқил истифода мешавад.Дар ин раванд, як тухми лоғар аз кремний булӯр бо таҳаммулпазирии дақиқ ба ваннаи гудохташудаи кремний ворид карда мешавад, ки ҳарорати он дақиқ назорат карда мешавад.Кристалли тухмӣ бо суръати хеле назоратшаванда оҳиста-оҳиста аз обшавии боло кашида мешавад, сахтшавии кристаллии атомҳо аз фазаи моеъ дар интерфейс ба амал меояд, кристали тухмӣ ва тигел дар давоми ин раванди хуруҷ ба самтҳои муқобил гардиш карда, як ягонаи калон ба вуҷуд меорад. кремний булӯр бо сохтори кристаллии комил насли.

Бо шарофати майдони магнитӣ, ки ба кашидани стандарти CZ истифода мешавад, кремнийи монокристалии аз майдони магнитӣ ба вуҷуд омада Czochralski MCZ дорои консентратсияи нисбатан камтари наҷосат, сатҳи пасти оксиген ва дислокатсия ва тағирёбии муқовимати якхела мебошад, ки дар ҷузъҳо ва дастгоҳҳои электронии технологӣ хуб кор мекунад. истеҳсол дар саноати электронӣ ё фотоэлектрикӣ.

Таҳвил

CZ ё MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type ва p-type гузаронанда дар Корпоратсияи Western Minmetals (SC) метавонад дар андозаи диаметри 2, 3, 4, 6, 8 ва 12 дюйм (50, 75, 100, 125, 150, 200 ва 300мм), ориентация <100>, <110>, <111> бо пӯшиши рӯизаминӣ, кандакорӣ ва сайқал додашуда дар бастаи қуттии кафк ё кассета бо қуттии картонӣ берун.

Ҳоло тафтиш кунед

Тафсилот

Тегҳо

Мушаххасоти техникӣ

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer маводи асосӣ дар истеҳсоли микросхемаҳои интегралӣ, диодҳо, транзисторҳо, ҷузъҳои дискретӣ, ки дар ҳама намуди таҷҳизоти электронӣ ва дастгоҳҳои нимноқилӣ истифода мешаванд, инчунин субстрат дар коркарди эпитаксиалӣ, субстрати вафли SOI ё истеҳсоли вафли нимизолятсияи мураккаб, махсусан калон Диаметри 200мм, 250мм ва 300мм барои истеҳсоли дастгоҳҳои ултра ҳамгирошуда мувофиқанд.Силикони ягонаи кристалл инчунин барои ҳуҷайраҳои офтобӣ ба миқдори зиёд аз ҷониби саноати фотоэлектрикӣ истифода мешавад, ки сохтори қариб мукаммали кристалл баландтарин самаранокии табдилдиҳии нур ба нерӯи барқро медиҳад.

Не.	Ададҳо	Мушаххасоти стандартӣ
1	Андоза	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Диаметри мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	гузаронанда	P ё N ё бе-допинг
4	Ориентация	<100>, <110>, <111>
5	Ғафсӣ мкм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ё мувофиқи талабот
6	Муқовимат Ω-см	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ва ғ.
7	RRV макс	8%, 10%, 12%
8	Аввалин ҳамвор/Дарозӣ мм	Ҳамчун стандарти SEMI ё мувофиқи талабот
9	Ҳамвор/Дарозии дуюм мм	Ҳамчун стандарти SEMI ё мувофиқи талабот
10	TTV мкм макс	10	10	10	10	10	10
11	Камон ва Warp мкм макс	30	30	30	30	30	30
12	Андозаи рӯизаминӣ	Ҳамчун бурида, L/L, P/E, P/P
13	Бастабандӣ	Қуттии кафк ё кассетаи дарун, қуттии картонӣ берун.

Рамз	Si
Рақами атомӣ	14
Вазни атомӣ	28.09
Категорияи элемент	металлоид
Гурӯҳ, давра, блок	14, 3, С
Сохтори кристалл	Алмос
Ранги	Хокистари сиёҳ
Нуқтаи обшавӣ	1414°С, 1687,15 К
Нуқтаи ҷӯш	3265°С, 3538,15 К
Зичии дар 300K	2,329 г/см³
Муқовимати дохилӣ	3,2Э5 Ом-см
Рақами CAS	7440-21-3
Рақами EC	231-130-8

CZ ё MCZ Single Crystal Silicon WaferНоқилҳои навъи n ва навъи p дар Корпоратсияи Western Minmetals (SC) мумкин аст дар андозаи диаметри 2, 3, 4, 6, 8 ва 12 дюйм (50, 75, 100, 125, 150, 200 ва 300 мм), ориентация <100>, <110>, <111> бо ороиши рӯизаминӣ дар бастаи қуттии кафк ё кассета бо қуттии картонӣ берун аз он буридашуда, пошидашуда, кандашуда ва сайқал дода шудааст.